三星率先为DRAM芯片导入EUV 用于明年量产DDR5/LPDDR5

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资料图(来自:Samsung)

得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。

三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

不过,目前支持DDR5的PC平台尚未亮相,LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),地点是平泽市的V2线。

根据三星此前的预判,EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。

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