格罗方德预备又一批300mm SOI晶圆供应协议

据悉,这是格罗方德在不到一年的时间里,签署的第二份 SOI 晶圆长期供应协议(WSA)。

绝缘底上硅(SOI)技术曾用于打造顶尖的处理器,但现如今已得到广泛的应用。

包括那些需要超低功耗的应用(IoT 领域的 SoC 和 MCU)、高电压(模拟 / 混合信号制式)、或高电阻系数产品(比如 4G / 5G 智能机的 FEMI 前端模块)。

这些都需要使用所谓的特殊制造工艺,因此引发了格罗方德的极大兴趣。

此外伴随着 5G 和物联网的兴起,RF-SOI 和 FD-SOI 将在此类芯片的量产上发挥重要的作用。

目前格罗方德旗下运营着七座 300 mm 晶圆厂(包括位于纽约 East Fishkill 的 Fab 10 工厂)和三座 200 毫米晶圆厂。

该公司最大的 300 mm 晶圆厂(Fab 1)将专注于 SOI 产品的制造,新加坡的 Fab 7 工厂亦将同时大批量使用 SOI 技术。

Fab 10 工厂可使用基于 SOI 的工艺来处理晶圆,此外格罗方德正计划在中国程度新建另一座 300 mm 晶圆厂。

其将借助 22FDX 技术来制造芯片,最终让自家的 200 mm 工厂也用上 SOI 晶圆。

作为全球最大的 SOI 晶圆客户,格罗方德将从 Soitec 和 GlobalWafers Co. 那里采购 200 mm 和 300 mm 基板。

仅在去年,格罗方德和 Soitec 就已经在 2017 年签署的 WSA 供应协议的基础上,补充了一项持续多年的 300 mm SOI 晶圆供应协议。

事实证明,格罗方德的高级 RF-SOI 工艺甚至需要 300 mm 以上的 SOI 晶圆。

因此作为新合约的一部分,该公司才如此积极地帮助 GWC 显著壮大其 SOI 晶圆制造能力。至于具体的消耗量,格罗方德、Soitec 和 GWC 均未透露。

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