SK海力士无锡二厂竣工:冲击中国45% DRAM内存市场

就在日前,SK海力士刚刚宣布将一方面提高第一代10nm级工艺(1xnm)内存芯片的产能,另一方面今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片。

SK海力士无锡二厂项目2016年12月宣布,2017年10月签约,2017年6月开工,2018年11月开始设备迁入,总投资达86亿美元,其中16亿美元用于建设3.3万平米的新厂房和附属设施,70亿美元用于引入全球最先进的内存芯片生产设备。

作为现有工厂(C2)的延伸项目,新工厂建设周期2017-2026年,全部完成后将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10nm级别工艺内存芯片生产基地,月产能可达18万块300毫米晶圆,年销售额可达33亿美元。

目前,SK海力士占有中国内存芯片市场大约35%的份额,无锡二厂投用后预计可升至超过45%。

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